三星電子西安NAND快閃記憶體廠已正式啟用,
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,採用最先進的3D製程,
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,盼能在供應需求龐大的中國NAND記憶體市場時,
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,取得更多彈性。
三星初步斥資23億美元設立這座廠房面積達114萬平方公尺的工廠,
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,2012年9月動工,
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,但產能未對外公布,
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,廠房設備將視市況等因素增減,
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,投資額最高將達70億美元。
該廠將由直接由三星全資子公司掌管,並採用3D垂直快閃記憶體製程。三星南韓華城廠去年首度採用3D晶片製造技術,獨步全球。
這款新晶片不但比傳統NAND快閃記億體速度快,也更節能。
三星為了滿足中國快速成長的晶片需求,中國已成為該公司的第三大晶片生產重鎮,僅次於南韓與美國。三星預估,全球半數NAND記憶體需求將來自於中國。,