隨著NAND Flash市況好轉，
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，大陸記憶體廠商長江存儲16日宣布下一個階段的技術發展目標，
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，將跳過如今業界常見的 96 層，
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，直接投入128 層NAND Flash 的研發工作，
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，但尚未發布具體的目標時間表。大陸科技新聞驅動之家報導，
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，對於長江存儲計畫跳過 96 層堆疊，
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，直接投入128層堆疊 NAND Flash 產品的發展計畫，
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，市場人士反映，
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，在大陸極力發展自主半導體產業的情況下，
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，期望彎道超車已經是各廠商努力的目標，只是屆時能不能完成，還有待觀察。 2020 年，全球 NAND Flash 產業將集體朝向 100 層以上堆疊的發展已經成為趨勢，例如南韓SK海力士已在近期出貨128層快閃記憶體並將在年底做到176層；三星有128層、136層，威騰、鎧俠（原東芝存儲）都是112層但存儲密度更高；美光128層；Intel則會做成144層。過去，長江存儲推出 64 層堆疊的NAND Flash 產品，相對於國際大廠有一到兩代的差距，因此這次選擇以128 層堆疊的產品發展，一旦真的成功，無疑的將能進一步縮小與業界其他領先對手的差距，不過在技術的挑戰性上也將會更大。在技術創新層面，長江存儲研發了自己的Xtacking堆疊架構，已經可以保證可靠性問題，下一代的Xtacking 2.0也正在推進中，會重點拓展性能、功能，也是直接上128層堆疊的重要關鍵。根據長江存儲先前的介紹，Xtacking 架構是在兩片獨立的晶圓上加工週邊電路和儲存單元，有利於選擇更先進的製程技術，提升 NAND Flash 的 I/O 介面速度、儲存密度，使得晶片面積也能減少約 25%。當兩片晶圓各自完工後，只需一個處理步驟就可透過數百萬根垂直互聯通道 (VIA)，將兩片晶圓結合在一起。長江存儲強調，受惠於並行且模組化的產品設計及製造方式，這使得 Xtacking 架構的 NAND Flash 的開發時間也可縮短 3 個月，生產週期也可縮短 20%。長江存儲日前還發布，自主研發的 64 層堆疊 256Gb TLC NAND Flash 已經在2019年投入量產，並正在擴充的產能，將儘早達成約產能10萬片的規模，並達到計畫總產能每月30萬片的目標。長江存儲。圖／湖北日報 分享 facebook 長江存儲自研發64層快閃記憶體。圖／快科技 分享 facebook，