在英特爾下一代處理器將支援新世代記憶體DDR4 DRAM下，
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，包括三星、美光及海力士及相關模組廠，
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，近期相繼導入DDR4 DRAM試產行動，
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，業者強調，
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，DDR 4 DRAM因功耗低，
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，運算速度更快，
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，且支援矽鑽孔（TSV ）3D IC設計，
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，明年可望成為伺服器新寵。
DRAM業者表示，和DDR3 DRAM比較，DDR4未來功耗將遠低於1.2伏特，比現在的DDR 3 1.5伏特更低，資料轉換率每秒3.2Gb，同時具備16個族群，遠比DDR3的資料轉換率每秒2.13Gb、八個族群，資料處理速度更快且頻寬更寬。
不過，主導半導體技術標準的JEDEC，此次並未針對DDR4 DRAM提出如DDR3 DRAM般公板設計，導致記憶體模組廠只能依照過去累積的設計能力，投入開發DDR 4 記憶體模組。
模組廠威剛表示，看好DDR4 DRAM未來應用，未來會依循英特爾主導的規格進行相關DDR4設計，在JEDEC未制定公板下，將採客製化，依企業用戶需求，提供這項更高性能的記憶體儲存方案。
威剛表示，由於DDR 4尚未量產，初期價格會非常昂貴，但因這項新記憶體導入更新的防錯設計，也支援TSV 3D IC架構，是未來3D IC必備的新世代記憶體，初期將切入伺服器等應用領域。
據了解，包括三星、美光及SK海力士均已投入試產階段；國內DRAM大廠華亞科和南科也預定第4季開始試產。，