聯電於今晚發出聲明，
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，對於遭美光控告妨礙營業秘密一事，
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，強力捍衛自身立場，
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，強調該公司不但擁有DRAM技術，
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，且從事相關技術開發合作，
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，只是單純商業交易，
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，其DRAM技術基礎元件設計也與美光不同。聯電強調，
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，該公司是國際公認、台灣起家的半導體公司，
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，38年來，在全球的供應鏈上，已經成為不可或缺的一員，先進量產技術達14奈米。對比之下，美光爭執所涉DRAM技術是32奈米，在聯電的計畫啟動當時，已經是落後幾個世代的技術。 聯電認為，社會上有一種錯誤印象，認為該公司沒有任何DRAM的知識或經驗，但這不是事實，而且是極端的不實。從1996年到2010年，聯電積累了近15年製造DRAM產品的經驗，甚至在某個時間點，聯電內部DRAM團隊人數超過150人。聯電表示，該公司是一個有組織的企業機構，藉由堅實而穩定的團隊，掌握並保存豐富的DRAM知識和經驗。舉例來說，現任聯電共同總經理簡山傑，是1996年開發DRAM產品的RAM 製程開發經理，另一個實例則是Alliance公司是1996年第一個獲得聯電授權合作DRAM夥伴之一，該公司是一家總部位於美國的DRAM晶片設計公司，藉由聯電的技術進行DRAM製造。除了傳統的DRAM技術外，2009年聯電更成功開發自有的嵌入式DRAM製程技術，這比製造標準型DRAM的過程要複雜得多。聯電指出，該公司同意與晉華聯合開發DRAM製程，是一個與其晶圓專工服務完全分開的單獨項目，在作成決策當時，只是符合所有合理商業考量的單純商業交易，且已經向台灣的政府正式提出申請，主管機關也於2016年4月核准整個項目，當時還未聽聞有中美貿易戰。自從開始為晉華開發DRAM製程技術，履行合約義務，聯電提到，已經花費數億新台幣，儘管這個專案的研發團隊成員接近300人，但只有不到10%的人曾在美光工作過。聯電並強調，其DRAM技術基礎裡的元件設計，完全不同於美光公司的設計。聯電開發的記憶胞架構是3×2佈局的儲存單元，這與美光的2×3佈局儲存單元完全不同。外界另一錯誤印象是美光在美國開發25奈米DRAM技術，但事實是美光在2010年初，購買台灣的瑞晶和日本爾必達的25奈米DRAM技術。最後，聯電表示，不要「在報刊上」進行這場訴訟，但要向客戶和投資人保證，該公司對於任何子虛烏有的控訴與誤認事實的指責，將全力並積極地自我防衛。，