國研院開發 多重鰭高鰭式場效電晶體技術

國家實驗研究院今日宣布 研發出「多重鰭高的鰭式場效電晶體」製程技術,

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,將比「鰭式場效電晶體(FinFET)架構,

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,降低約20%的製造成本,

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,且設計更具彈性,

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,計劃明年起開始移轉業界,

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,並希望能在5年內協助業界進入量產。
國研院表示,

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,鰭式場效電晶體(FinFET)因其形狀有如魚鰭而得名,由於其以立體結構取代傳統電晶體的平面結構,縮小電晶體在晶片的面積,也降低電晶體的功耗,可提高晶片容納的電子元件密度。但目前各家投入的鰭式場效電晶體,均是單一鰭高電晶體。
國研院奈米元件實驗室製程服務組組長陳旻政說,鰭式場效電晶體相較於傳統場效電晶體的平面結構,其閘門做成類似魚鰭的叉狀3D架構,可於電路的左、右、上三側控制電路的接通與斷開,而國研院所研發出的多重鰭高鰭式場效電晶體,其不同鰭高的設計理念,可讓大小不同的電流擁有各自適合的頻道高度,進而縮小晶片面積。
他形容,可以將傳統場效電晶體、單一鰭高鰭式場效電晶體、多重鰭高鰭式場效電晶體,分別比喻為平房、高樓層單一面積房屋、以及高樓層卻擁有不同建築格局的房屋。
在有限的晶片面積上,多重鰭高鰭式場效電晶體可讓不同大小的電流「各住適合的房型」,達到晶片空間利用的最佳化,且比單一鰭高的鰭式場效電晶體節省20%製造成本。
陳旻政表示國研院已將這項技術申請專利,並計劃在5年內協助業界量產。,

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